特許
J-GLOBAL ID：200903034080625550
メモリ-素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006653
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】電圧印加の有無の情報と、電圧印加方向の情報とを記憶し、読み出すことができるメモリ-素子を提供することを目的とする。【構成】強誘電体層11と、その両側に設けられた一対の第1導電型の半導体5,10と、これら第1導電型の半導体の強誘電体層側と反対側に絶縁層3,8を介して設けられた一対の電極4,9と、各第1導電型の半導体5,10を挟むように、強誘電体層11の上に設けられた2対の第2導電型の半導体1,2,6,7とを有するメモリ-素子。
請求項（抜粋）：
強誘電体層と、その両側に設けられた一対の第1導電型の半導体と、これら第1導電型の半導体の強誘電体層側と反対側に絶縁層を介して設けられた一対の電極と、前記各第1導電型の半導体を挟むように、前記強誘電体層の上に設けられた2対の第2導電型の半導体とを有することを特徴とするメモリ-素子。
IPC (2件)：
G11C 11/22
, H01L 27/10 451
