特許
J-GLOBAL ID:200903034081112409
レジスト組成物の評価方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-151253
公開番号(公開出願番号):特開2005-309457
出願日: 2005年05月24日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】イマージョンリソグラフィー工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物の評価方法を提供することを課題とする。【解決手段】 浸漬露光工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物として好適か否かを評価する評価方法であり、波長193nm光源を用いた通常露光リソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1;通常露光リソグラフィー工程に、選択的露光と露光後加熱(PEB)の間に浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2とし;[(X2/X1)-1]×100の絶対値が8.0以下である場合には好適であると判断するレジスト組成物の評価方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物として好適か否かを評価する評価方法であって、
波長193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1とし、
他方、同193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱(PEB)の間に上記浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2としたとき、
[(X2/X1)-1]×100の絶対値が8.0以下である場合には好適であると判断することを特徴とするレジスト組成物の評価方法。
IPC (4件):
G03F7/26
, G03F7/038
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (5件):
G03F7/26 501
, G03F7/038 601
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 515D
Fターム (23件):
2H025AB16
, 2H025AC03
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB52
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096EA05
, 2H096EA18
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096LA17
, 5F046BA03
, 5F046DA27
, 5F046DD06
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