特許

J-GLOBAL ID：200903034081786213

荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置

発明者： 金田 博幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222916
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078737
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置に関し、後方散乱強度に影響を及ぼす複数の下地パターン層が形成されていても近接効果補正を正確に、かつ高速に行うことができることを目的とする。【構成】 所望のパターンを形成しようとする基板表面層に露光すべきパターンデータを数μm角の小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算するとともに、該表面層下に既に下層パターンが形成されている場合、該下層パターンのパターンデータを数μm角の小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算する工程と、次いで、該表面層に露光するパターンの各小領域毎の主露光量を、該表面層のパターン存在密度と該下層パターンのパターン存在密度に依存する全散乱強度に基づいて算出する工程と、次いで、該表面層の各小領域毎に該算出した主露光量に基づいて描画する工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを用いてパターン形成を行う荷電粒子ビーム露光方法において、所望のパターンを形成しようとする基板表面層に露光すべきパターンデータを所定の大きさの小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算するとともに、該表面層下に既に下層パターンが形成されている場合、該下層パターンのパターンデータを所定の大きさの小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算する工程と、次いで、該表面層に露光するパターンの各小領域毎の主露光量を、該表面層のパターン存在密度と該下層パターンのパターン存在密度に依存する全散乱強度に基づいて算出する工程と、次いで、該表面層の各小領域を該算出した主露光量に基づいて描画する工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-283627
  
• 特開昭61-105837
  
• 特開平1-189119
  
• 特開平4-073929