特許
J-GLOBAL ID：200903034086538293
ガスクラスターイオンビームによる 薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068445
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127867
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【構成】 常温および常圧で気体状の反応性物質の塊状原子集団または分子集団であるクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し基板表面に照射して反応させる。【効果】 室温においても、極めて平滑な界面を有する極薄の反応性薄膜を基板損傷無しに高品質で形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
常温および常圧で気体状の反応性物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターのイオンを基板表面に照射して反応させ、基板表面に薄膜を形成することを特徴とするガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/32
, H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/203
