特許
J-GLOBAL ID：200903034101121590
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161263
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348316
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 磁気シールドと磁気抵抗効果素子との絶縁性を確実に確保することを可能にする。【解決手段】 下層磁気シールドとなる第1の軟磁性膜と、第1の軟磁性膜上に形成された下層磁気ギャップとなる第1の非磁性絶縁膜と、第1の非磁性絶縁膜上に形成された磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜と、当該磁気抵抗効果膜の両端部にそれぞれ形成された磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための導電体膜とを有する磁気抵抗効果素子体と、導電体膜上にそれぞれ形成された絶縁膜と、絶縁膜を有する磁気抵抗効果素子体上に形成された上層磁気ギャップとなる第2の非磁性絶縁膜と、第2の非磁性絶縁膜上に形成された上層磁気シールドとなる第2の軟磁性膜とを備える。
請求項（抜粋）：
下層磁気シールドとなる第1の軟磁性膜と、上記第1の軟磁性膜上に形成された下層磁気ギャップとなる第1の非磁性絶縁膜と、上記第1の非磁性絶縁膜上に形成された磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜と、当該磁気抵抗効果膜の両端部にそれぞれ形成された磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための導電体膜とを有する磁気抵抗効果素子体と、上記導電体膜上にそれぞれ形成された絶縁膜と、上記絶縁膜を有する磁気抵抗効果素子体上に形成された上層磁気ギャップとなる第2の非磁性絶縁膜と、上記第2の非磁性絶縁膜上に形成された上層磁気シールドとなる第2の軟磁性膜とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034DA07
