特許
J-GLOBAL ID：200903034105121293
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259558
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115073
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 シリコン基板上の層間絶縁膜に形成したコンタクト孔にアルミニウム合金を堆積した後、高温加熱によりアルミニウム合金をリフローさせコンタクト孔を埋設する場合に、リフロー前に良好なステップカバレジを確保することにより、ボイドの発生を防止しリフローによるコンタクトの埋設性を向上させる。【構成】 開口されたコンタクト孔に、チタン膜及び窒化チタン膜を堆積し、次に被覆性の良いCVDアルミニウム膜、続いてスパッタアルミニウム合金膜を同一真空中で堆積した後さらに高温加熱しアルミニウム合金でコンタクト孔内を埋設する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に堆積された層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し、このコンタクト孔を介して、前記層間絶縁膜の上下で電気的接続をとる半導体装置の製造方法において、前記コンタクト孔を有する前記層間絶縁膜上に、チタン膜と窒化チタン膜を順次堆積する工程と、第1のアルミニウム膜を堆積する工程と、さらに引き続き第2のアルミニウムを堆積する工程と、高温加熱により両者のアルミニウム膜を流動化させ前記コンタクト孔内部をアルミニウムにて埋設する工程とを有し、前記第1のアルミニウム膜を化学気相成長法により形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/768
