特許

J-GLOBAL ID：200903034106381337

基板型抵抗・温度ヒュ-ズ

発明者： 植村 充明
出願人/特許権者： 内橋エステック株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189954
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031285
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】セラミックス基板の片面に膜導体並びに膜抵抗体を形成し、その膜導体に低融点金属片を接続し、膜抵抗体と低融点金属片とを膜導体で直結した基板型抵抗・温度ヒュ-ズにおいて、膜抵抗体の発生熱が比較的小さいときでの作動性並びに作動直後での絶縁性の向上を図る。【構成】セラミックス基板1の片面の中間に低融点金属片3が設けられ、同上基板1片面の一端部側に、上記低融点金属片3の中央線n-nを挾んで膜抵抗体2,2が設けられ、上記低融点金属片両端の各端と上記の各膜抵抗体内側端21との間がそれぞれ中間膜導体51により接続され、同上基板片面に上記の各膜抵抗体外側端22から基板他端にわたってリ-ド用膜導体52が設けられ、これらの各リ-ド用膜導体にそれぞれリ-ド線6が接続され、同上基板の片面に絶縁被覆7が施されている。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の片面の中間に低融点金属片が設けられ、同上基板片面の一端部側に、上記低融点金属片の中央線を挾んで膜抵抗体が設けられ、上記低融点金属片両端の各端と上記の各膜抵抗体内側端との間がそれぞれ中間膜導体により接続され、同上基板片面に上記の各膜抵抗体外側端から基板他端にわたってリ-ド用膜導体が設けられ、これらの各リ-ド用膜導体にそれぞれリ-ド線が接続され、同上基板の片面に絶縁被覆が施されていることを特徴とする基板型抵抗・温度ヒュ-ズ。