特許

J-GLOBAL ID：200903034106849975

半導体基板の製造方法

発明者： 橋本 誠 ,  中村 元昭 ,  島ノ江 宗治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097776
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 特に選択研磨工程における研磨速度の面内均一性を向上し、これによってSOI基板におけるSOI膜厚の精度向上を図り得る、半導体基板の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 表面に段差を有する第一のシリコン基板1の、段差を有する面に絶縁膜2を形成し、第一のシリコン基板1の絶縁膜2を形成した面側に、直接的あるいは間接的に第二のシリコン基板6を貼り合わせ、第一のシリコン基板1の、絶縁膜2を形成した面と反対側の面を研削し、研削した面を化学的研磨法によって研磨する半導体基板の製造方法である。研削した後、化学的研磨工程に先立って研削面を、研磨砥粒を用いた化学的機械的研磨法で研磨する。

請求項（抜粋）：

表面に段差を有する第一のシリコン基板の、前記段差を有する面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該第一のシリコン基板の絶縁膜を形成した面側に、直接的あるいは間接的に第二のシリコン基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第一のシリコン基板の、前記絶縁膜を形成した面と反対側の面を研削する研削工程と、該研削工程にて研削した面を化学的研磨法によって研磨する化学的研磨工程と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記研削工程の後、前記化学的研磨工程に先立って前記研削工程にて研削した面を研磨砥粒を用いた化学的機械的研磨法で研磨する化学的機械的研磨工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 D