特許

J-GLOBAL ID：200903034109747782

重ね合わせ露光方法及び露光システム

発明者： 加藤 善光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274073
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 下地パターンと上層パターンとのアライメントを短時間で且つ精度良く行うことができ、スループットの向上をはかる。【解決手段】 下地パターンに対して上層パターンを重ね合わせて露光する重ね合わせ露光方法であって、ウェハ上のマーク位置を測定する座標測定装置11を露光装置12に隣接して設け、座標測定装置11では、ウェハ上の各チップ内の複数のマークをそれぞれ測定してチップ面内のパターン位置歪みを求め、かつチップが異なる4点のマークを測定してウェハ面内のチップ配列歪みを求め、露光装置12では、チップが異なる4点のマークを測定してウェハ面内のチップ配列歪みを求め、このチップ配列歪みと座標測定装置11で得られたチップ面内のパターン位置歪みを基に下地と上層パターンのアライメントを行い、かつ露光装置12でウェハを露光している間に座標測定装置11で次のウェハに対する測定を行う。

請求項（抜粋）：

ウェハ上に、下地パターンに対して上層パターンを重ね合わせて露光する重ね合わせ露光方法であって、前記ウェハを露光する位置とは異なる位置で、該ウェハ上の各チップ内の複数のマークをそれぞれ測定してチップ面内のパターン位置歪みを求め、かつチップが異なる複数点のマークを測定してウェハ面内のチップ配列歪みを求める第1の工程と、前記ウェハを露光する位置で、チップが異なる複数点のマークを測定してウェハ面内のチップ配列歪みを求める第2の工程と、第1の工程で得られたチップ面内のパターン位置歪みと第2の工程で得られたウェハ面内のチップ配列歪みを合成する第3の工程と、前記合成した歪みを基に下地パターンと上層パターンをアライメントする第4の工程とを含むことを特徴とする重ね合わせ露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (6件)：

G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 521 ,  H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 541 K

Fターム (22件)：

2H097AA03 ,  2H097AA11 ,  2H097BA06 ,  2H097CA16 ,  2H097KA01 ,  2H097KA13 ,  2H097KA20 ,  2H097KA28 ,  2H097LA10 ,  5F046AA09 ,  5F046AA17 ,  5F046BA03 ,  5F046EA02 ,  5F046EA04 ,  5F046EB01 ,  5F046EB05 ,  5F046EC05 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06 ,  5F056BD01 ,  5F056CC08 ,  5F056FA06