特許

J-GLOBAL ID：200903034110598871

半導体ウェーハの面取り部鏡面化方法とその装置

発明者： 増田 純久
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276816
公開番号（公開出願番号）：特開平9-094746
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの面取り部鏡面化方法において、研磨クロスのライフを長くし、かつ短時間で良好な鏡面状態を得ることができる方法と装置の提供。【解決手段】 円盤状不織布11からなる研磨クロスを重ね合わせて円柱状に保持する研磨体10を回転させて、研磨体10を回転させて互いに近接する方向に移動させ、ウェーハ1の面取り部を不織布の端面に一定圧力で接触させて、ノズル20より砥液を滴下させながら研磨を行うと、ウェーハ1の外周部は不織布11の端面に埋入するように面取り部全体が接触し、不織布11に保持された研磨液とともに研磨され、一回でウェーハ1の端面とテーパー面を研磨できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの外周面取り部を回転する研磨クロスと研磨液で鏡面研磨する面取り部の鏡面化方法において、研磨クロスに不織布を用い、当該不織布の所要厚みの外周端面に半導体ウェーハの外周面取り部を接触させ研磨を行う半導体ウェーハの面取り部鏡面化方法。

IPC (3件)：

B24B 9/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 9/00 L ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S