特許

J-GLOBAL ID：200903034110936661

有機質基材表面への金属膜形成方法

発明者： 楠村 浩一 ,  林 隆夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217106
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059763
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【目的】 有機質基材の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法を提供。【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の光の照射処理またはプラズマ処理を行う活性化処理を施し、以下の一般式X-Si-(OR)3 (ただし、Xは硫黄原子を含む有機反応基を示し、Rは-CH3 または-CH2 -CH3を示している。)で示される硫黄原子含有シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。

請求項（抜粋）：

有機質基材表面に結合を活性化させる波長の光の照射処理またはプラズマ処理を行う活性化処理を施し、一般式X-Si-(OR)3 (ただし、Xは硫黄原子を含む有機反応基であり、Rは-CH3 または-CH2 -CH3 である。)で示される硫黄原子含有シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成することを特徴とする有機質基材表面への金属膜形成方法。