特許
J-GLOBAL ID：200903034118926894
圧接型半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123225
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319659
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 熱抵抗特性並びに熱サイクル特性を改善することができる圧接型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 圧接型半導体装置は、第1の主電極1と第2の主電極5との間に半導体チップ3を挟み込み、圧接することにより構築されている。第1の主電極1と半導体チップ3との間には第1の焼結金属板2が配設され、第2の主電極5と半導体チップ3との間には第2の焼結金属板4が配設されている。そして、少なくとも第2の焼結金属板4の半導体チップ3側の表面は機械加工面4Aとされ、この表面の高さが調節されている。
請求項（抜粋）：
主電極と、前記主電極上に配設され、前記主電極に比べて剛性が大きい焼結金属板と、前記焼結金属板上の半導体チップとを備え、前記焼結金属板の半導体チップ側の表面を、その高さが調節された機械加工面としたことを特徴する圧接型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 21/52
, H01L 25/18
H01L 21/52 J
, H01L 25/04 C
5F047JA01
, 5F047JA02
, 5F047JB08
