特許

J-GLOBAL ID：200903034121259343

半導体装置の製造方法

発明者： 横澤 亜由美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094506
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 絶縁耐圧が高く、リーク電流の小さい容量窒化膜の形成方法を提供する。【構成】 半導体シリコン基板101に下部電極としての多結晶シリコン膜103を形成し、その下部電極103上に耐酸化性の窒化膜104を形成し、その後、LPCVD法により、容量窒化膜105を形成する。この容量窒化膜105を形成する際に、基板101の表面近傍へHClガスを導入し、HClを膜表面に効率的に吸着させる。HClの吸着は、特に、表面がシリコンである部分とシラン系の反応種(SiCl2,SiH2)との反応を選択的に抑制するため、窒化膜成長において、Si-Si結合の生成が抑制される。その結果、窒化膜の絶縁耐圧の向上や、リーク電流の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

減圧気相成長法(LPCVD)の処理により、半導体基板に容量窒化膜を堆積して形成する半導体装置の製造方法であって、減圧気相成長法(LPCVD)の処理は、容量窒化膜堆積用の原料ガスを供給するとともに、半導体基板上の成長膜表面に特定のガスを導入して行うものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-067770
  
• 特開平3-003357
  
• 特開平4-171944