特許
J-GLOBAL ID：200903034121612361
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273102
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 表面保護膜に要求されるアルカリイオンに対する阻止能力や耐湿性、機械的強度を向上させる。【構成】 半導体素子を形成したシリコン基板301上に、絶縁膜302を形成した。その主面上にアルミニウム配線膜303を形成し、さらにその上に、表面保護膜を形成した。これにより表面保護膜の1層目がアルミニウム酸化膜304で、この上の2層目がシリコン窒化膜305となる。【効果】 表面保護膜が2層構造で各層の保護膜が相乗的に互いにその短所を補完し合って、アルカリイオン阻止能力、耐湿性、および機械的強度を高めている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成される表面保護膜が、アルミニウム酸化膜とシリコン窒化膜とでなる複合膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/314
, H01L 21/318
