特許

J-GLOBAL ID：200903034122199190

赤外線センサIC、赤外線センサ及びその製造方法

発明者： 上之 康一郎 ,  久世 直洋 ,  森安 嘉貴 ,  永瀬 和宏
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004013158
公開番号（公開出願番号）：WO2005-027228
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

きわめてサイズが小さく、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響を受けにくい赤外線センサIC、赤外線センサおよびその製造方法を提供する。素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部(2)に用いて、化合物半導体センサ部(2)と化合物半導体センサ部(2)からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部(3)とを同一パッケージ内にハイブリッド形成することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサICを実現できる。

請求項（抜粋）：

インジウム及びアンチモンを含む化合物半導体を有し、該化合物半導体により赤外線を検知して該検知を示す電気信号を出力する化合物半導体センサ部と、 前記化合物半導体センサ部から出力される電気信号を処理して所定の演算を行う集積回路部とを備え、 前記化合物半導体センサ部及び前記集積回路部が同一パッケージ内にハイブリッドの形態で配設されていることを特徴とする赤外線センサIC。

IPC (1件)：

H01L 31/02

FI (1件)：

H01L31/02 B

Fターム (27件)：

5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AA11 ,  5F088AA12 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088BA11 ,  5F088BA15 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088CB03 ,  5F088CB04 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088DA05 ,  5F088EA07 ,  5F088GA04 ,  5F088GA05 ,  5F088JA01 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13 ,  5F088LA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭53-58791号公報
  
• 特開平2-502326号公報