特許
J-GLOBAL ID：200903034122952212
磁性薄膜メモリ素子、それを用いた磁性薄膜メモリおよび磁性薄膜メモリに記録する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135569
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 メモリ素子のサイズが小さくなっても充分に大きな読み出し信号がえられる磁性薄膜メモリ素子、それを用いた磁性薄膜メモリおよび磁性薄膜メモリに記録する方法を提供する。【構成】 本発明に係る磁性薄膜メモリ素子は、磁性体のもつ異常ホール効果を利用し、読み出し信号として異常ホール電圧またはその変化を検出する。メモリ素子としてある特定の面内方向と垂直方向の間に磁化容易軸を有する磁性薄膜を用いる。【効果】 メモリ素子として磁化容易軸が垂直方向を含む垂直方向と面内方向の間に存在する磁性薄膜を用いたので、ホール電圧を読み出し信号として利用することができ、高感度な読み出しと高密度化が可能である。
請求項（抜粋）：
薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記憶する磁性薄膜メモリ素子であって、記録した情報を読み出す手段として薄膜磁性体の異常ホール効果を用いることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
IPC (3件)：
G11C 11/14 304
, G11C 11/14 302
, G11C 11/18
