特許

J-GLOBAL ID：200903034124777418

セラミツク基板及びその製造方法

発明者： 反田 健二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124855
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：

【要約】【構成】平均粒子径0.8〜1.8μmのAl2 O3 を92〜94重量%と、焼結助剤であるSiO2 、CaO、MgOを合計6〜8重量%含み、これら焼結助剤の互いの組成比がSiO2 50〜80重量%、CaO 0〜12重量%、MgO 10〜40重量%の範囲内であるセラミック原料を、所定形状に成形し、最高焼成温度1550°C以下で、昇温開始から降温終了までの焼成時間を6時間として高速焼成を行ってセラミック基板を製造する。【効果】低コストで製造できるとともに、Al2 O3 96%程度のものと同程度の優れた電気特性、厚膜密着強度を有し、異常粒成長のないセラミク基板を得ることができ、電子部品用セラミック基板として好適に用いることが可能となる。

請求項（抜粋）：

主成分であるAl2 O3 を92〜94重量%と、焼結助剤であるSiO2 、CaO、MgOを合計6〜8重量%含み、これら焼結助剤の互いの組成比がSiO2 50〜80重量%、CaO 0〜12重量%、MgO 10〜40重量%の範囲内であることを特徴とするセラミック基板。

IPC (3件)：

C04B 35/10 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-210062
  
• 特開平3-153564