特許

J-GLOBAL ID：200903034129652338

フリップチップ実装用基板及びその製造方法

発明者： モハン キルロスカー ,  堀内 道夫
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300973
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148693
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を確実にフリップチップ実装可能とし、半導体素子に対する熱履歴を軽減して信頼性の向上を実現する。【解決手段】 半導体素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装用基板において、基板1の半導体素子を搭載する実装面に該半導体素子の電極の配列に対応させて形成した第1金属パッド3と、該第1金属パッド3の周縁部とその周囲を覆う第2金属パッド4と、該第2金属パッド4の周縁部とその周囲を覆うソルダレジスト5と、前記第1金属パッド3の露出面を覆って形成した金属バンプ6とを有し、前記第1金属パッド3は前記金属バンプ6に対して濡れ性が高く、前記第2金属パッド4は前記金属バンプ6に対する濡れ性が前記第1金属パッド3に対する濡れ性よりも低いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装用基板において、前記基板の半導体素子を搭載する実装面に該半導体素子の電極の配列に対応させて形成した第1金属層と、該第1金属層の周縁部とその周囲を覆う第2金属層と、該第2金属層の周縁部とその周囲を覆う絶縁層と、前記第1金属層の露出面を覆って形成した金属バンプとを有し、前記第1金属層は前記金属バンプに対して濡れ性が高く、前記第2金属層は前記金属バンプに対する濡れ性が前記第1金属層に対する濡れ性よりも低いことを特徴とするフリップチップ実装用基板。

IPC (4件)：

H05K 1/02 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H05K 1/18

FI (5件)：

H05K 1/02 J ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 B