特許
J-GLOBAL ID:200903034134083848

半導体装置封止材料の接着強度測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-288358
公開番号(公開出願番号):特開平5-249026
出願日: 1991年11月05日
公開日(公表日): 1993年09月28日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置封止材料の接着強度測定方法において、半導体素子の表面コート材と同じ材質のフィルムを作成し、そのフィルムに封止材料を成形して、その封止材料から前記フィルムを引き剥がすことによって、接着強度を測定することにより、測定値の再現性が高く、かつ、正確な接着強度を測定する。【構成】 半導体装置封止材料の接着強度測定方法において、半導体素子の表面コート材と同じ材質のポリイミドフィルム12を作成し、該ポリイミドフィルム12上にブロック状の封止材料15を成形し、該ブロック状の封止材料15をクランプ機構21によって固定し、前記ポリイミドフィルム12を前記ブロック状の封止材料15から引き剥がし、プルテスタ22によって接着強度を測定するようにしたものである。
請求項(抜粋):
(a)半導体素子の表面コート材と同じ材質のフィルムを作成し、(b)該フィルム上にブロック状の封止材料を成形し、(c)該ブロック状の封止材料を固定し、(d)前記フィルムを前記ブロック状の封止材料から引き剥がすことによって、接着強度を測定する半導体装置封止材料の接着強度測定方法。
IPC (2件):
G01N 19/04 ,  H01L 21/56

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