特許
J-GLOBAL ID：200903034138532540
パルス信号発生回路および半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060648
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置においてリフレッシュ時の消費電力を低減することである。【構成】 パルス信号発生回路は、リングオシレータ100および内部電圧発生回路101を含む。内部電圧発生回路101は、動作温度に依存する内部電圧Vocを発生する。内部電圧Vocは、常温時には低くなり、高温時には高くなる。リングオシレータ100内の各インバータG1は内部電圧発生回路101から供給される内部電圧Vocにより駆動される。それにより、常温時には、パルス信号φの周期が長くなり、高温時には短くなる。
請求項（抜粋）：
動作温度に依存した内部電圧を発生する内部電圧発生手段と、前記内部電圧発生手段により発生された前記内部電圧により駆動され、パルス信号を発生する信号発生手段とを備えた、パルス信号発生回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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