特許
J-GLOBAL ID：200903034146318638
スパッタリング用高純度チタンターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318181
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255843
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体デバイスの成膜に利用されるスパッタリング法において使用される高純度のチタンターゲットの結晶粒の微細化を図る。【構成】 高純度のチタン母材に、高純度の少なくとも一種の結晶粒成長抑制元素(Si,B,Ge)を重量比で100ppm〜2000ppm 微量添加する。【効果】 ターゲットの結晶粒微細化により、スパッタリング工程中で飛散堆積するパーティクルが減少すると共に、膜厚の均一性が向上する。
請求項（抜粋）：
高純度のチタン母材に、高純度の少なくとも一種の結晶粒成長抑制元素を重量比で100ppm〜2000ppm 微量添加し希薄合金化したことを特徴とするスパッタリング用高純度チタンターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C22C 14/00
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
