特許

J-GLOBAL ID：200903034147757015

熱電変換材料及びその製造方法

発明者： 山本 淳 ,  太田 敏隆
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041133
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317547
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は性能指数を高くして、従来の熱電変換モジュールに使用されている熱電材料と置換することで、高い変換効率を実現することができる熱電変換材料を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の熱電変換材料及びその製造方法は、半導体基板内部に電子とフォノンの平均自由行程と同程度、あるいはそれ以下の間隔で分散した多数の微細な空孔を基板表面から柱状又は樹形状に形成して多孔質化し、密度の低下に伴う熱伝導率の減少や熱電能の増加によって熱電性能指数を増加させ、また、その空孔の中に異種の半導体または金属を充填し、量子効果により熱電性能指数を増加させたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板内部に電子とフォノンの平均自由行程と同程度、あるいはそれ以下の間隔で分散した多数の微細な空孔を基板表面からエッチングにより柱状又は樹形状に形成して多孔質化し、前記半導体基板内部の前記空孔の中にその半導体材料とは異種の半導体または金属を充填し、密度の低下に伴う熱伝導率の減少や熱電能の増加により、かつ量子効果により熱電性能指数を増加させて、エッチングにより形成された組織に沿う方向の性能を向上させたことを特徴とする熱電変換材料。

IPC (5件)：

H01L 35/26 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/306 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (5件)：

H01L 35/26 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H01L 21/306 B