特許
J-GLOBAL ID:200903034149360988

成膜装置及びこの装置に使用する基板支持治具

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-201484
公開番号(公開出願番号):特開平9-036209
出願日: 1995年07月14日
公開日(公表日): 1997年02月07日
要約:
【要約】【課題】 成膜処理に際してパーティクルの発生を確実に抑え得る成膜装置及びこの装置に使用する基板支持治具を提供する。【解決手段】 縦型炉に所定の反応ガスを導入し、基板支持治具に支持された基板Wに対して気相反応により成膜処理を行う。基板Wの周辺部位に対応するように立設された複数の支柱11を備えると共に、各支柱11に基板Wを載置するための載置部12を設け、各載置部12の載置面14適所に微小突起15を形成する。載置部12は、支柱11と直交方向に形成された凹溝13により構成される。基板Wは、支柱11の載置部12にて微小突起15によって点接触状態で支持される。接触部分における堆積膜16の繋がり量を格段に小さくすることができ、パーティクル発生を抑制する。
請求項(抜粋):
炉内に収容されて成膜処理が行われるべき基板を支持するための基板支持治具であって、前記基板の周辺部位に対応するように立設された複数の支柱を備えると共に、各支柱に前記基板を載置するための載置部を設け、各載置部の載置面適所に微小突起を形成したことを特徴とする基板支持治具。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  B65D 85/86
FI (4件):
H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 V ,  H01L 21/205 ,  B65D 85/38 R

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