低温酸化法を用いてエミッタサイトを尖らせる方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-515455
公開番号（公開出願番号）：特表平10-507576
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】冷陰極電界放出放出表示装置(FED)のためのエミッタサイトを尖らせる改良した方法が、ベースプレート上に突起を形成する工程と、低温酸化法を用いて酸化物層を突起上に成長させる工程と、その後で酸化物層を除去する工程とを含む。好適な低温酸化法は、ウェットバス陽極酸化と、プラズマ支援酸化と、高圧酸化とを含む。それらの低温酸化法は、酸素が突起の物質と反応するという消耗法を用いて酸化物膜を成長させる。これによって、加熱酸化で形成したエミッタサイトより歪みと粒子境界とが少ないエミッタサイトを製造できる。例として、エミッタサイトをアモルファスシリコンで形成できる。また、ガラスなどの低温材料を用いてベースプレートを製造できるから、高温による軟化および応力が生ずることはない。

請求項（抜粋）：

ベースプレートを用意する工程と、頂部に終端する突起を前記ベースプレート上に形成する工程と、陰極を含んでいる電解質溶液中にベースプレートを置き、突起を電源の正電極に電気的に接続し、陰極を電源の負電極に接続する工程と、突起と陰極とに電圧を加える工程と、電解質溶液からの酸素が突起の物質と反応して酸化物層を形成する、という消耗プロセスにより突起上に酸化物層を成長させる工程と、電解質溶液からベースプレートを除去する工程と、その後で、酸化物層を突起から除去する工程と、を備える電界放出表示装置のための電界放出器場所を尖らせる方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-312739
特開平3-238729
特開昭47-032781

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