特許

J-GLOBAL ID：200903034152268570

容量素子

発明者： 斉藤 克明 ,  崔 宰豪 ,  福田 琢也 ,  大上 三千男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283612
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 集積度の高い容量素子を提供することにある。【構成】 酸化物高誘電体として、例えばPbZrTiO3、SrTiO3を用いた容量素子の電極に酸化物が高誘電体であるような材料を用いる。このような材料としてはPbTi3等があり、誘電体を酸化する工程において電極材料が共に酸化されても高誘電体となるから、電極と酸化物高誘電体が直列接合される容量素子の容量値は低下せず、電極面積に対する容量が大きくなるの集積度が高くなる。本容量素子をMOSトランジスタと電気的に接続し、DRAM、FRAMメモリセルとして用い高集積、高速の半導体メモリを構成する

請求項（抜粋）：

誘電率が20以上または分極に履歴を有する酸化物誘電体と、該酸化物誘電体の両面に接する電極とから構成される容量素子において、少なくとも1方の電極が複数の元素よりなり酸化されると20以上の誘電率を持つ絶縁体あるいは分極に履歴を有する絶縁体となることを特徴とする容量素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/108 ,  B41J 29/00

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 325 J ,  B41J 29/00 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178614   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-167554