特許
J-GLOBAL ID：200903034155202618
チタン酸バリウム系半導体磁器組成物原料の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042877
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239215
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 高純度で、粒径が小さく、かつ、粒径分布が揃った易焼結性のチタン酸バリウム系半導体磁器組成物原料が低コストで得られる技術を提供することである。【構成】 二酸化チタン粉末の表面に、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物を構成する為に必要なバリウム塩、カルシウム塩、鉛塩、及びストロンチウム塩の中から選ばれる少なくとも一種、及びチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を構成する為の半導体化元素の塩を設ける工程と、前記工程の後、焼成する工程とを具備するチタン酸バリウム系半導体磁器組成物原料の製造方法。
請求項（抜粋）：
二酸化チタン粉末の表面に、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物を構成する為に必要なバリウム塩、カルシウム塩、鉛塩、及びストロンチウム塩の中から選ばれる少なくとも一種、及びチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を構成する為の半導体化元素の塩を設ける工程と、前記工程の後、焼成する工程とを具備することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器組成物原料の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01G 23/00 C
, C04B 35/46 N
