特許
J-GLOBAL ID：200903034157327370
シリコン系被膜の形成方法及び加熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279503
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 脱水縮合反応を十分に進めることができるシリコン系被膜の形成方法及び加熱処理装置を提供する。【構成】 第1の加熱手段12とこれに接続する第1の温度制御手段13とによってシリコン系被膜を形成するための溶液の脱水縮合反応が完全に進む第1の温度に加熱した試料台11の載置面11a上に、上記溶液を回転塗布した試料20を載置し、試料20を裏面側から第1の温度に加熱する。この状態で、ガス供給管16から酸素を含まないガス19を供給して試料20の表面を酸素を含まない雰囲気さらす。この際、ガス供給管に設けた第2の加熱手段17とこれに接続された第2の温度制御手段18とによって、ガス19の温度を第1の温度より低い第2の温度から第1の温度にまで昇温させ、このガス19に溶液表面をさらす。これによって、溶液の下面側から脱水縮合反応を順次完了させながら、当該溶液を固化させてシリコン系被膜を形成する。
請求項（抜粋）：
試料の表面上にシリコン系被膜を形成するための溶液を塗布した後、当該溶液の表面を酸素を含まない雰囲気にさらしながら加熱処理することによって当該溶液を固化させるシリコン系被膜の形成方法において、前記加熱処理の際には、前記試料をその裏面側から前記溶液の脱水縮合反応が完全に進む第1の温度に加熱した状態で、前記酸素を含まない雰囲気を当該第1の温度よりも低い第2の温度から当該第1の温度にまで昇温させることを特徴とするシリコン系被膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 U
, H01L 21/31 E
