特許
J-GLOBAL ID：200903034161224860
T型ゲート電極形成用フォトマスク,その製造方法,及びT型ゲート電極を有する半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020036
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230161
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 T型ゲート電極を有する半導体装置の製造方法において用いる,T型ゲート電極形成用フォトマスクを得ること。【構成】 フォトマスク用ガラス基板1上にクロム等により遮光膜3をレジストパターンが解像しない程度の大きさ(マスク上で1μm前後)でT型ゲート電極中央部を中心として左右対称に形成し、その上に、シフタ2を遮光膜3の中央にシフタ2のパターンエッジが来るよう形成し、上記遮光膜3のどちらか一方が該シフタ2で被われた構造とする。この構造のフォトマスクを縮小投影露光法に用いると、フォトマスク100を透過した露光光として、ウェハ上でT型ゲート電極形成に必要なT字型の光強度分布6を1回の露光で得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にT型ゲート電極を形成するために用いるT型ゲート電極形成用フォトマスクにおいて、フォトマスク用透明基板上の,上記T型ゲート電極の中央部に対応する位置を中心として左右対称の位置に、各々、レジストが解像しない程度の大きさの一対の遮光膜が配置形成され、フォトリソグラフィ工程において該フォトマスクを露光光が透過したとき該露光光の位相を反転させるシフタが、上記一対の遮光膜の中央にそのパターンエッジが来るよう、かつ上記遮光膜のいずれか一方を覆うように形成され、フォトリソグラフィ工程において該フォトマスクを露光光が透過してウェハ上に得られる露光光の光強度分布が、上記T型ゲート電極中央部に対応する極微小暗部と、上記T型ゲート電極の上部に対応する微小暗部とを有するT字型の光強度分布となるものであり、かつ、該T字型の光強度分布が、1回の露光によりウェハ上で得られるものであることを特徴とするT型ゲート電極形成用フォトマスク。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, H01L 21/28
, H01L 21/338
, H01L 29/812
