特許
J-GLOBAL ID:200903034163771664

半導体放熱基板への部品接合方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 勝成 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-157958
公開番号(公開出願番号):特開平6-344131
出願日: 1993年06月03日
公開日(公表日): 1994年12月20日
要約:
【要約】【目的】 半導体放熱基板に部品を接合するに際して、ロウ材の成形や面倒な組立工程をなくしてコストの低減と生産性の向上を達成すると同時に、接合部における欠陥の発生を大幅に抑制して接合部の品質を向上させ得る半導体放熱基板への部品接合方法を提供する。【構成】 従来の半導体放熱基板と部品の接合面との間にロウ材を挟み込む代わりに、半導体放熱基板1あるいは金属スタッド2等の部品の全表面にロウ材の金属組成に相当する組成になるように接合金属メッキ層を形成し、半導体放熱基板1に部品の接合面を当接させ、接合金属メッキ層を加熱溶融して接合する。
請求項(抜粋):
半導体放熱基板と金属部品の全表面にNiメッキ層を設け、この半導体放熱基板又は金属部品のNiメッキ層全体に両者を接合し得るロウ材の金属組成に相当する組成になるように1層又は2層以上の接合金属メッキ層を形成した後、金属部品の接合面を前記半導体放熱基板に当接させて真空中又は水素雰囲気中で接合金属メッキ層を加熱溶融することにより両者を接合することを特徴とする半導体放熱基板への部品接合方法。
IPC (9件):
B23K 1/20 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 1/008 ,  B23K 31/02 310 ,  C04B 37/02 ,  C04B 41/88 ,  C25D 5/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/36

前のページに戻る