特許
J-GLOBAL ID：200903034165685854
半導体記憶装置および同期型半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130166
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高速でかつノーウエイトでアクセスすることができる同期型半導体記憶装置を提供する。【構成】 制御信号入力バッファは外部クロック信号が非活性時にはスルー状態となり、外部信号に応じた内部信号を生成しかつクロック信号が非活性状態となるとラッチ状態となる。またDRAMアレイ102のデータを格納するマスタデータレジスタ(MDTBR)からスレーブデータレジスタ(SDTBR)へのデータ転送は、このスレーブデータレジスタSDTBRのデータが利用されていないことを検出して実行される。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイにおいて同時に選択された複数のメモリセルのデータを一時的に保持するためのデータレジスタと、前記第1のデータレジスタが保持するデータを受けて格納するための第2のデータレジスタと、前記第2のデータレジスタへのアクセスの非存在とデータ転送指示とに応答して、前記第1のデータレジスタから前記第2のデータレジスタへのデータ転送を実行する転送手段とを備える、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/401
, G06F 12/08 310
, G11C 11/41
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 Z
, G11C 11/34 362 Z
