半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364780
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200273
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】銅配線中にボイドを発生させることなく、CoWP系のバリア膜を銅配線表面に均一に成膜させることで、CoWP系のバリア膜を設けたエレクトロマイグレーション耐性を有する銅配線を提供する。【解決手段】基板に銅もしくは銅合金で形成された配線(第2配線25)上のみに、置換メッキにより触媒金属層31を形成した後、触媒金属層31を利用した無電解メッキによりバリア膜32を第2配線25上に選択的に形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、無電解メッキ液は、無電解メッキ反応開始時に触媒金属層31を必要とする第1の還元剤と、無電解メッキ反応開始時に触媒金属を必要とせず且つ第1の還元剤よりも還元力が強い第2の還元剤を含むものからなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に銅もしくは銅合金で形成された配線上のみに、置換メッキにより触媒金属層を形成した後、前記触媒金属層を利用した無電解メッキによりバリア膜を前記配線上に選択的に形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記無電解メッキ液は、無電解メッキ反応開始時に触媒金属を必要とする第1の還元剤と、無電解メッキ反応開始時に触媒金属を必要とせず且つ第1の還元剤よりも還元力が強い第2の還元剤を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/288 , C23C18/31 , C23C18/52 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768

FI (7件)：

H01L21/288 E , C23C18/31 A , C23C18/52 B , H01L21/28 301Z , H01L21/88 M , H01L21/88 R , H01L21/90 A

Fターム (51件)：

4K022AA02 , 4K022AA05 , 4K022AA41 , 4K022BA06 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022BA36 , 4K022CA06 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022DA03 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD53 , 4M104FF16 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR06 , 5F033XX00 , 5F033XX28

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