半導体メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072867
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326487
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】センスアンプの面積を削減した半導体メモリを提供する。【解決手段】半導体メモリは、メモリセルMC1、MCD1と、前記メモリセルに接続されたローカルビット線対BL1、XBL1と、前記ローカルビット線対の電位差を増幅するローカルセンスアンプLSA1と、スイッチ13を介して前記ローカルビット線対に電気的に接続されるグローバルビット線対GBL1、XGBL1と、前記グローバルビット線対の電位差を増幅するグローバルセンスアンプGSA1とを備え、前記ローカルセンスアンプは、トランジスタQN1、QN2を含み、前記ローカルセンスアンプに含まれる複数のトランジスタのそれぞれは、第1導電型のトランジスタであり、前記グローバルセンスアンプは、前記第1導電型とは異なる第2導電型のトランジスタを含む。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続されたローカルビット線対と、前記ローカルビット線対の電位差を増幅するローカルセンスアンプと、スイッチを介して前記ローカルビット線対に電気的に接続されるグローバルビット線対と、前記グローバルビット線対の電位差を増幅するグローバルセンスアンプとを備え、前記ローカルセンスアンプは、複数のトランジスタを含み、前記ローカルセンスアンプに含まれる複数のトランジスタのそれぞれは、第1導電型のトランジスタであり、前記グローバルセンスアンプは、前記第1導電型とは異なる第2導電型のトランジスタを含む、半導体メモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/401 , G11C 11/41 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

G11C 11/34 362 B , G11C 11/34 301 E , H01L 27/10 681 G , H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-143982
特開平2-044767
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236508 出願人：日本電気株式会社

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