特許

J-GLOBAL ID：200903034168708375

被膜形成装置

発明者： 山崎 舜平 ,  伊藤 健二
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158331
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】高速堆積,低残留内部応力を達成し、さらに被膜の膜厚及び膜質の均一性を満足する被膜形成装置を提供する。【構成】 減圧状態に保持可能な反応容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置であって、前記一対の電極間隔は10mm以下の間隔を有し、前記一対の電極のうちカソード側(電力供給側)の電極に比べアノード側(接地側)の電極面積が大きいことを特徴とする被膜形成装置。

請求項（抜粋）：

減圧状態に保持可能な反応容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置であって、前記一対の電極間隔は10mm以下の間隔を有し、前記一対の電極のうちカソード側(電力供給側)の電極に比べアノード側(接地側)の電極面積が大きいことを特徴とする被膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04