特許

J-GLOBAL ID：200903034170426336

カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 斎藤 俊哉
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206764
公開番号（公開出願番号）：特開2005-053720
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】基板上においてカーボンナノチューブの生成とパターン形成を1段系で行う。【解決手段】真空中に配置したSiC基板又は有機溶媒中に配置したSi基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を、真空中のSiC基板の場合は1600〜1900°Cに、有機溶媒中のSi基板の場合は500〜1000°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空中に配置したSiC基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を1600°C〜1900°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (9件)：

4G146AA11 ,  4G146AC03B ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BC15 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146CB16