特許
J-GLOBAL ID:200903034175840718
透明導電膜およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 静男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-190468
公開番号(公開出願番号):特開平7-045128
出願日: 1993年07月30日
公開日(公表日): 1995年02月14日
要約:
【要約】【目的】 ITO膜よりも耐湿性に優れるとともに電子移動度が高い透明導電膜を提供する。【構成】 本発明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル構造化合物からなることを特徴とする膜、またはSn,Al,Sb,Ga,InおよびGeからなる群より選択される少なくとも1種の元素がドープされた三重ルチル構造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前記三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に対して20at%以下であることを特徴とする膜である。
請求項(抜粋):
実質的に三重ルチル構造化合物からなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (6件):
H01B 5/14
, C01G 30/00
, C01G 33/00
, C03C 17/25
, C30B 29/22
, H01B 13/00 503
前のページに戻る