特許

J-GLOBAL ID：200903034179923685

半導体装置およびその製造方法

発明者： 清水 貴宏
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047003
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250545
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置自体の厚さを抑えたバンプ電極を有した半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 基板配線層10を有した実装基板9の凹部8に対して、バンプ電極3を有した半導体チップ1が搭載され、半導体チップ1上のバンプ電極3と基板配線層10とが半田11により接合されている。そして接合後、実装基板9の凹部8領域が樹脂12で封止されている。この構造により、半導体チップ1の側面にバンプ電極3を形成し、縦方向の厚みを抑えて、パッケージに実装しているので、薄型の半導体装置を実現することができる。また実装工程でも、半導体チップ1の側面にバンプ電極3があるので、基板配線層10とバンプ電極3との接合の確認が容易となる。

請求項（抜粋）：

凹部を有した実装基板と、前記凹部に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの側面に設けられた突起電極と、前記実装基板の凹部に設けられた配線層と前記半導体チップの側面に設けられた突起電極とを接続している導電性接着剤と、前記凹部の前記半導体チップ領域を含む領域を封止している樹脂とよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/92 602 A ,  H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/92 604 J