特許

J-GLOBAL ID：200903034180127922

半導体装置

発明者： 関川 宏昭 ,  新川田 裕樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130462
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329785
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 アナログ用ポリシリコンキャパシタを的確に保護できるダミーパターンを持つ半導体装置を得る。【解決手段】 アナログ用ポリシリコンキャパシタを保護するためのダミーパターン8,9をゲート電極層・下層電極層の2層構造またはゲート電極層・誘電体層・下部電極層の3層構造で形成した。

請求項（抜粋）：

アナログ用ポリシリコンキャパシタを保護するためのダミーパターンをゲート電極層・下層電極層の2層構造で形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 C

Fターム (10件)：

5F038AC01 ,  5F038AC05 ,  5F038BH01 ,  5F038BH11 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20