特許

J-GLOBAL ID：200903034181341529

サセプタ及び気相成長装置

発明者： 金谷 晃一 ,  大塚 徹 ,  大瀬 広樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (2件)： 荒船 良男 ,  荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109063
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319623
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】傷の発生を抑制しながら単結晶薄膜を半導体基板の主表面に気相成長させる。【解決手段】半導体基板Wの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置100は、半導体基板Wを座ぐり2c内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ2を備えている。座ぐり2cは、半導体基板Wを支持する基板支持面20aを有する外周側座ぐり部20と、この外周側座ぐり部20よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部21とを有している。外周側座ぐり部20は、座ぐり2cの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜した基板支持面20aを有し、該基板支持面20aのうち、少なくとも内周縁20bを除く領域で、半導体基板Wの裏面の外周縁よりも内側を支持する。座ぐり2c中央側座ぐり部21は、半導体基板Wの裏面と接触しない深さに窪んでいる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長する際に、前記半導体基板を座ぐり内で略水平に支持し、 前記座ぐりが、前記半導体基板を支持する外周側座ぐり部と、前記外周側座ぐり部の内側で該外周側座ぐり部よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部とを有するサセプタにおいて、 前記外周側座ぐり部は、前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜した基板支持面を有し、該基板支持面のうち、少なくとも内周縁を除く領域で、前記半導体基板の裏面の外周縁よりも内側を支持することを特徴とするサセプタ。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N

Fターム (27件)：

4K030AA03 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA05 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F031PA13 ,  5F031PA20 ,  5F031PA30 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DP04 ,  5F045EC01 ,  5F045EK11 ,  5F045EM02