特許

J-GLOBAL ID：200903034181728865

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 伊藤 政隆 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055258
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタを作製するプロセスにおいて、イオン注入時のチャージアップを低減し、不純物分布の均一性を向上させる。【構成】不純物イオン注入前に、不純物イオンの注入部以外の部分に、導電性の薄膜2を形成するとともに、この導電性薄膜2を接地端子または一定の電位端子と接続し、絶縁性基板1に蓄積されたチャージを逃がす。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に作製した薄膜トランジスタのソース、ドレインおよび低抵抗を必要とする部分に不純物イオンを注入する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記不純物イオン注入前に、不純物イオンの注入部以外の部分に、導電性の薄膜を形成するとともに、この導電性薄膜を接地端子または一定の電位端子と接続することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 N