特許

J-GLOBAL ID：200903034186794327

増幅回路

発明者： 藤井 達久 ,  長谷川 篤 ,  北島 賢二 ,  竹本 一八男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223987
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063468
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成で実質的な高感度化を実現した増幅回路を提供する。【構成】 信号電荷を受けるキャパシタの電圧を受ける増幅用ソースフォロワMOSFETのドレイン側に、そのソースフォロワ出力信号を受けてそれに対応した電圧を帰還させる帰還用ソースフォロワMOSFETを設ける。【効果】 増幅信号に無関係に増幅用ソースフォロワMOSFETのドレインとソース電位が一定にできるから、この増幅MOSFETにおける飽和領域でのドレインコンダクタンスを大幅に低減できからそれに伴い信号ロスも低減できる。また、増幅用ソースフォロワMOSFETのゲートとドレイン間の寄生容量も帰還用MOSFETのゲインに対応して大幅に小さくでき、それにより信号電荷を受ける動的なゲート容量の低減と周波数特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

信号電荷を受けるキャパシタと、このキャパシタの電圧を受ける増幅用ソースフォロワMOSFETと、この増幅用ソースフォロワMOSFETのソース出力信号を受け、それに対応した電圧をドレインに帰還させる帰還用ソースフォロワMOSFETとを含むことを特徴とする増幅回路。

IPC (3件)：

H03F 3/50 ,  H04N 5/14 ,  H04N 5/335