特許
J-GLOBAL ID：200903034188150338
シリコン基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074782
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 DZ内の結晶欠陥を完全に排除し、これによる素子特性の劣化、製品歩留りの低下を改善できるシリコン基板の製造方法を提供する。【構成】 チョクラルスキ法で製造されたシリコン単結晶より切り出されたシリコン基板に、イントリンシック・ゲッタリング処理を施す工程において、1100°C〜1150°Cの温度で熱処理を施す第1の熱処理工程により、シリコン基板表面近傍の酸素濃度を低減させることができる。この第1の熱処理工程の後、1200°C以上の温度で熱処理を施す第2の熱処理工程により、将来DZとなる領域内に残留する酸素析出核を収縮または消滅させ、DZ内での欠陥発生を防止できる。この第2の熱処理工程の後、上記第1の熱処理工程時の温度より低い温度で熱処理を施す第3の熱処理工程により、内部微小欠陥を形成し、汚染物質を取り込む(ゲッタリング)ことができる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキ法で製造されたシリコン単結晶より切り出されたシリコン基板に、イントリンシック・ゲッタリング処理を施す工程において、1100°C〜1150°Cの温度で熱処理を施す第1の熱処理工程と、この第1の熱処理工程の後、1200°C以上の温度で熱処理を施す第2の熱処理工程と、この第2の熱処理工程の後、上記第1の熱処理工程時の温度より低い温度で熱処理を施す第3の熱処理工程と、を備えたことを特徴とするシリコン基板の製造方法。
引用特許：
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