特許

J-GLOBAL ID：200903034194149350

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284600
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は薄膜トランジスタ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。【解決手段】 ゲート電極のAlとゲート絶縁膜中の水との反応によって生成される水素によって多結晶シリコンの欠陥の終端化を行う。

請求項（抜粋）：

チャネル領域とドナーまたはアクセプタとなる不純物を含有するソース及びドレイン領域からなる多結晶シリコンを主成分とする半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とソース及びドレイン電極を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極はAlまたはAlを主成分とする材料からなり、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜界面にはAlの酸化物が存在することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 617 M ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 E

Fターム (87件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA36 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA19 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23