特許
J-GLOBAL ID：200903034196391140
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-307260
出願日： 1992年05月01日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトマスクの製造方法に関し、メインパターンの透光領域と位相シフタパターンとの光学的特性を同一にして位相シフト法の効果が十分発揮できるようにする位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 透光性基板1上に遮光膜2を形成し、これを一部領域から除去してメインパターンの透光領域3を形成し、透光領域3に対応する領域の透光性基板1をエッチングして凹部5を形成し、凹部5周辺の遮光膜2を除去して位相シフタパターン7を形成する工程を有する位相シフトマスクの製造方法において、遮光膜2を形成する工程に先立ち、透光性基板1の表面をドライエッチングするか、または、位相シフタパターン7形成後、凹部5の底面と位相シフタパターン7の表面とをドライエッチングする。
請求項（抜粋）：
透光性基板(1)上に遮光膜(2)を形成し、該遮光膜(2)を一部領域から除去してメインパターンの透光領域(3)を形成し、該透光領域(3)に対応する領域の前記透光性基板(1)をエッチングして凹部(5)を形成し、該凹部(5)周辺の前記遮光膜(2)を除去して位相シフタパターン(7)を形成する工程を有する位相シフトマスクの製造方法において、前記遮光膜(2)を形成する工程に先立ち、前記透光性基板(1)の表面をドライエッチングすることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
