特許

J-GLOBAL ID：200903034196542806

マイクロ真空増幅素子及びその製造方法

発明者： 川村 雅明
出願人/特許権者： 東芝ライテック株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177071
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094104
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】この発明は、高放射効率で、製造が容易で、再現性が良好で,エミッタ抵抗,ゲート電流が小さく,更にアノード放熱性が良好であることを主要な目的とする。【構成】キャビテイ(50)形成予定部に対応する箇所が開口され、高融点金属からなる下層(82a) 及びこの下層(82a) 上に形成された上層(83a) からなる2層構造のエミッタ(90)と、このエミッタ(90)と隣接して形成された層間絶縁膜(84a)と、この層間絶縁膜(84a) に隣接して設けられたゲート(85a) と、エミッタ(90)及びゲート(85a) と電気的に絶縁されたアノード(87a) とを具備し、前記キャビテイ(50)内における前記エミッタ(90)の下層の先端が上層の端面より内側に突出し、かつ前記ゲート(85a) の先端が前記層間絶縁膜(84a) の端面より後退していることを特徴とする電界放射エミッタ。

請求項（抜粋）：

キャビテイ形成予定部に対応する箇所が開口され、高融点金属からなる下層及びこの下層上に形成された上層からなる2層構造のエミッタと、このエミッタと隣接して形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜に隣接して設けられたゲートと、エミッタ及びゲートと電気的に絶縁されたアノードとを具備し、前記キャビテイ内における前記エミッタの下層の先端が上層の端面より内側に突出し、かつ前記ゲートの先端が前記層間絶縁膜の端面より後退していることを特徴とするマイクロ真空増幅素子。

IPC (3件)：

H01J 21/06 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02