特許
J-GLOBAL ID：200903034198222825
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109652
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】不純物拡散層表面および多結晶シリコンを主成分とする配線表面に金属シリサイドを自己整合的に形成する半導体装置の製造方法において、素子分離絶縁膜表面及びゲート配線側面の側壁絶縁膜表面に高融点金属や汚染物質、欠陥が残留するのを防ぐ。【構成】高融点金属とシリサイドを選択エッチングする工程の後に素子分離絶縁膜表面をエッチング処理する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコンを主成分とする半導体基板表面近傍にシリコン酸化物を主成分とする素子分離絶縁膜と不純物拡散層および多結晶シリコンを主成分とする配線が形成され、かつ該不純物拡散層表面および該配線表面に金属シリサイドを自己整合的に形成する半導体装置の製造方法において、(a)半導体装置全面に高融点金属膜を形成する工程と、(b)不活性ガス雰囲気中で加熱処理し、高融点金属をシリコンと接している部分のみ金属シリサイドに変化させる工程と、(c)選択エッチングする工程と、(d)前記素子分離絶縁膜表面をエッチング処理する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
