半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267173
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115921
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】選択的エピタキシャル成長法によってベースを形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースとして用いる領域以外の部分の選択エピタキシャル層の抵抗を低減させる。【解決手段】選択的エピタキシャル成長法によってベースを形成するバイポーラトランジスタにおいて、選択成長の際に真性ベースとして用いる領域以外の部分が全て多結晶として形成することにより、選択成長後の熱処理により多結晶領域を高濃度にドープしてベース抵抗を低減させる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の単結晶半導体領域に第1の絶縁膜からなる第1の開口を有しこの第1の絶縁膜上には反対導電型の第1の多結晶半導体膜が第1の開口に対してせりだした構造をなし、このせりだした部分の下の領域は、反対導電型の第2の多結晶半導体膜が第1の半導体に接する様に形成され、この第2の多結晶半導体膜に囲まれた第1の単結晶半導体領域上には、反対導電型の第2の単結晶半導体膜を有し、しかもこの第2の単結晶半導体膜の厚さは、第2の多結晶半導体の縦方向及び横方向のどちらよりも薄くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 27/00 301

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 27/00 301 N

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