特許

J-GLOBAL ID：200903034210811270

半導体基板の評価方法

発明者： 鎌 倉 孝 信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325928
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167789
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 信頼性が高い半導体基板の評価方法を提供する。【解決手段】 評価を行うためのウエハ110をステージ101に載置した後、ウエハ110の位置および角度を制御演算部108で調整する基板保持過程(S202,S203)と、X線、アルゴンレーザ光およびヤグレーザ光を光源部102の光源からステージ101上のウエハ110に順次または同時に照射し、このときの反射光または蛍光を集光器104または受光器105で検出することにより、ウエハ110の蛍光X線分析、ロッキングカーブ測定、PL検査および欠陥検査を測定する検査過程(S204〜S206)と、この検査過程で測定された各特性を、この検査過程を経たウエハ110から作製された半導体レーザに対する最終的な良/不良の判断結果と比較することにより、ウエハ110の評価基準を決定または修正する評価基準決定過程(S209)とを備える。

請求項（抜粋）：

評価を行うための半導体基板を載置台に載置した後、この載置台に載置された前記半導体基板の位置および角度を調整部で調整する基板保持過程と、複数種類の評価に使用される複数種類の評価光を複数種類の光源から前記載置台上の前記半導体基板に順次または同時に照射し、このときの反射光または蛍光を複数種類の光検出器でそれぞれ検出することにより、前記半導体基板の複数種類の特性を測定する検査過程と、この検査過程で測定された前記複数種類の特性を、この検査過程を経た前記半導体基板から作製された半導体装置に対する最終的な良/不良の判断結果と比較することにより、前記半導体基板の評価基準を決定または修正する評価基準決定過程と、を備えたことを特徴とする半導体基板の評価方法。

IPC (8件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/88 ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/223

FI (9件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 P ,  G01B 11/06 Z ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/27 B ,  G01N 21/64 Z ,  G01N 21/88 E ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/223