特許

J-GLOBAL ID：200903034212155176

サリサイド・プロセスに基づくCMOSセンサ中で使用するウエル-基板フォトダイオード

発明者： マクダニエル,バート ,  ベイリイ,マーク・エイ ,  クラーク,ローレンス・ティ ,  ホフマン,エリック・ジェイ ,  ボーオレック,エドワード・ジェイ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-502820
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505035
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：

【要約】ウエル(203)-基板(200)ダイオードを光検出器として有する画像センサである。好ましい実施形態では、現在のサリサイド(CMOS)プロセスを利用して、この画像センサを製造する。ダイオード接合の上のフィールド酸化膜領域(207)は可視光に対して透明であり、したがって、このフォトダイオードを、非サリサイド・プロセスに基づいて製作したソース/ドレイン拡散-基板フォトダイオードを有するデバイスに劣らない量子効率にすることができる。フォトダイオードは、センサ・アレイの一部として、比較的修正していないデジタルCMOS製作プロセスを使用してデジタル回路と一体化することができる。さらに、ウエル-基板構造は、もう1つの同様のウエル中に構築したFETの特性にほぼ1次に悪影響を及ぼすことなくウエルを修正することによって、フォトダイオードの光学的性質を設計することができるようにする。

請求項（抜粋）：

入射光信号を電気信号に変換するフォトダイオードであって、 第1の導電型の半導体材料の基板層と、 第2の導電型の半導体材料のウエルとを含み、ウエルが基板中に配置され、pn接合がそれらの間に定められ、ウエルと基板が前記フォトダイオードの感光領域となっているフォトダイオード。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028

FI (3件)：

H04N 1/028 Z ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-177084
  
• 特開平2-159890
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-304570   出願人：株式会社日立製作所
• ピン光ダイオード集積能動画素センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088326   出願人：イーストマンコダックカンパニー
• 特開昭61-183958