特許
J-GLOBAL ID：200903034212912619
半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251577
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082863
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 共振器端面の表面準位を低減することができ、光学損傷レベル、信頼性および特性の向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窓構造を有するAlGaAs系半導体レーザの製造方法において、レーザ構造を形成する半導体層に共振器端面8を形成した後、共振器端面8をリンを含む雰囲気中で熱処理して、共振器端面8から酸化膜9を除去すると共に、共振器端面8をリン吸着層10によって非活性化する。MOCVD装置内で共振器端面8からリン吸着層10を除去した後、連続して共振器端面8に窓層となるAlx3Ga1-x3As膜11を形成する。共振器端面8をリンを含む雰囲気中で熱処理する代わりに、共振器端面8をリンを含む雰囲気中でプラズマ処理してもよい。共振器端面8にAlGaInP膜からなる窓層を形成する場合、MOCVD装置内に、AlGaInPの成長に用いられる原料のうちリンを含む原料を所定時間導入した後、AlGaInPの成長に用いられる全ての原料を導入して実質的なAlGaInP膜の成長を行うようにしてもよい。
請求項（抜粋）：
基板上に発光素子構造を形成する半導体層を成長させる工程と、上記発光素子構造を形成する半導体層に共振器端面を形成する工程と、上記共振器端面をリンを含む雰囲気中で熱処理する工程と、上記共振器端面にパッシベーション膜または上記共振器端面から出射される光を吸収しない半導体からなる窓層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Fターム (11件)：
5F073AA84
, 5F073AA86
, 5F073CA05
, 5F073CB20
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA25
, 5F073DA31
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA28
