特許

J-GLOBAL ID：200903034214935870

バッテリー逆接続保護付きIPD及びバッテリー逆接続保護付きIPDを備えた駆動装置

発明者： 藤本 賢一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307025
公開番号（公開出願番号）：特開平11-146558
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 バッテリーを逆接続した場合における電子機器を破壊から保護すると共に、Diによるドロップ電圧を下げ無効な消費電力を下げることが可能なバッテリー逆接続保護付きIPD及びバッテリー逆接続保護付きIPDを備えた駆動装置を提供する。【解決手段】 バッテリーを順方向に接続した場合(バッテリー4a)は、NchパワーMOSFET1a、2aが導通状態となると共に、Di14にも電流が流れて負荷10に電流を流すため、Di14によるドロップ電圧を低減することが可能になると共に、バッテリーが逆方向に接続されている場合は(バッテリー4b)、NchパワーMOSFET1a、2aがOFF状態となり、Di14が逆方向接続状態となっているため、電圧がクランプし、負荷10に電流が流れず、電子機器の破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

第1のダイオードが、ソース・ドレイン間に並列に接続されている第1のNchパワーMOSFETと、第2のダイオードが、ソース・ドレイン間に並列に接続されている第2のNchパワーMOSFETとを有し、バッテリーが順方向に接続されている場合には、前記第1のNchパワーMOSFET及び第2のNchパワーMOSFETが共にON状態となり、かつ、前記第1のダイオードが順方向、かつ、前記第2のダイオードが逆方向となり、前記第1のNchパワーMOSFETと前記第1のダイオードとを電流が流れることにより、第1のダイオードにおけるドロップ電圧を低減させ、バッテリーが逆方向に接続されている場合には、前記第1のNchパワーMOSFET及び第2のNchパワーMOSFETが共にOFF状態となり、かつ、前記第1のダイオードが逆方向となり、電圧をクランプすることにより、バッテリーが逆接続の場合の電子機器の破壊を防止することを特徴とするバッテリー逆接続保護付きIPD。

IPC (3件)：

H02H 11/00 ,  B60R 16/04 ,  B60R 16/02 621

FI (3件)：

H02H 11/00 C ,  B60R 16/04 S ,  B60R 16/02 621 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-065625
  
• 逆流阻止回路を有する回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128925   出願人：ティアック株式会社